Rayons X et Matière

J. Phys. IV France 08 (1998) Pr5-453-Pr5-457
DOI: 10.1051/jp4:1998557

Effet d'une élévation de température sur les performances dans le domaine des rayons X d'un miroir interférentiel multicouche Mo/Si

J.-M. André^{1, 2}, R. Barchewitz^{1, 2}, F. Bridou³, B. Pardo³, S. Bac^{2, 4}, V. Greiner^{2, 4} and P. Troussel<sup>2, 4

1</sup>  Laboratoire de Chimie Physique, Groupe Optique X, Université Pierre et Marie Curie, UA 176 du CNRS, 11 rue Pierre et Marie Curie, 75231 Paris cedex 05, France
²  Laboratoire pour l'Utilisaion du Rayonnement Électromagnétique (LURE), Campus d'Orsay, bâtiment 209D, 91405 Orsay cedex, France
³  Institut d'Optique Théorique et Appliquée, Université Paris-Sud, UA 14 du CNRS, Campus d'Orsay, bâtiment 503, 91405 Orsay cedex, France
⁴  CEA-DAM, DRIF/DCRE/SDE, Centre d'Études de Bruyères-le-Châtel, BP. 12, 91680 Bruyères-le-Châtel, France

Résumé
Nous avons étudié l'effet d'une élévation de température sur les performances optiques dans le domaine X d'un miroir multicouche interférentiel Mo/Si. L'empilement multicouche réalisé par pulvérisation magnétron a été chauffé à différentes températures comprises entre la température ambiante et 500°C. Nous avons observé une diminution de la période, une substantielle réduction de la "réflectivité pic" accompagnées d'un élargissement de la bande passante ainsi qu'une modification structurale. Ces effets sont interprétés comme la conséquence de la formation d'une couche interfaciale cristallisée sous forme de MoSi₂ hexagonal.

Abstract
We studied the effect of an increase of temperature on the optical performances, in the X-ray range, of an interferential multilayer mirror Mo/Si. The multilayer stack made by magnetron sputtering was annealed at different temperatures between the room temperature and 500°C. We observed a decrease of the period, a notable decrease of the "peak reflectivity" together with a broadening of the bandpass and a structural alteration. These effects are interpreted as the consequence of the formation of an interfacial layer cristallized in the form of hexagonal MoSi₂.

© EDP Sciences 1998