| Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 01, Numéro C6, Décembre 1991
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors2nd International Workshop |
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|---|---|---|
| Page(s) | C6-223 - C6-224 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1991634 | |
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors
2nd International Workshop
J. Phys. IV France 01 (1991) C6-223-C6-224
DOI: 10.1051/jp4:1991634
Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, URA 234, Bâtiment C6, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres-Artois, F-59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
© EDP Sciences 1991
2nd International Workshop
J. Phys. IV France 01 (1991) C6-223-C6-224
DOI: 10.1051/jp4:1991634
TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE SPACE-CHARGE-REGION WIDTH OF A Ti-nGaAs SCHOTTKY DIODE EBIC STUDY
B. SIEBER and P. CARTONLaboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, URA 234, Bâtiment C6, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres-Artois, F-59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
Without abstract
© EDP Sciences 1991
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