| Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 01, Numéro C6, Décembre 1991
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors2nd International Workshop |
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|---|---|---|
| Page(s) | C6-35 - C6-37 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1991606 | |
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors
2nd International Workshop
J. Phys. IV France 01 (1991) C6-35-C6-37
DOI: 10.1051/jp4:1991606
Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, URA 234, Bâtiment C6, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres-Artois, F-59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
© EDP Sciences 1991
2nd International Workshop
J. Phys. IV France 01 (1991) C6-35-C6-37
DOI: 10.1051/jp4:1991606
RECOMBINATION MECHANISM AT DISLOCATIONS IN GaAs EBIC CONTRAST STUDY
B. SIEBER and J.L. FARVACQUELaboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, URA 234, Bâtiment C6, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres-Artois, F-59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
Without abstract
© EDP Sciences 1991
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