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J. Phys. IV France
Volume 11, Numéro PR7, Octobre 2001
5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et XApplications et développements récents |
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Page(s) | Pr7-113 - Pr7-117 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2001736 |
Applications et développements récents
J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-113-Pr7-117
DOI: 10.1051/jp4:2001736
Ablation laser d'oxydes : étude du transfert de l'oxygène lors de la synthèse de films minces
E. MillonLSMCL, Institut de Physique Électronique et de Chimie, Université de Metz, 1 boulevard Arago, Technopôle Metz 2000, 57078 Metz cedex 3, France
Résumé
Les mécanismes liés au transport de l'oxygène entre la cible et le substrat au cours de la préparation de couches minces d'oxydes par la technique Pulsed Laser Deposition (PLD) sont illustrés ici par le biais d'exemples de travaux sur la réalisation de films de pérovskites (PbTiO3, PbZrxTi1-xO3) et de cuprates supraconducteurs à haute température critique ("YBaCuO" et "BiSrCaCuO"). Les différents modes d'incorporation de l'oxygène dans les couches minces ainsi que son rôle dans le transfert des espèces en phase gazeuse entre la cible et le substrat sont discutés. La présence de l'oxygène introduit dans l'enceinte d'ablation au cours de la PLD et lors du refroidissement influence les processus d'oxydation statique de la couche en croissance et conditionne la stabilité relative des espèces oxygénées (ions, molécules, agrégats) dans le plasma. Ce dernier aspect permet en particulier de contrôler le transfert de stoechiométrie des éléments les plus volatils (Pb, Li..).
© EDP Sciences 2001