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J. Phys. IV France
Volume 11, Numéro PR7, Octobre 2001
5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et XApplications et développements récents |
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| Page(s) | Pr7-119 - Pr7-120 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2001737 | |
Applications et développements récents
J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-119-Pr7-120
DOI: 10.1051/jp4:2001737
Ablation laser par laser UV impulsionnel : principale approche pour la synthèse controlée des nanostructures de silicium
L. Patrone1, W. Marine1, V.I. Safarov1 and M.L. Sentis21 Groupement Interdisciplinaire Ablation Laser et Applications, GPEC, UMR 6631 du CNRS, Faculté des Sciences de Luminy, Case 901, 13288 Marseille cedex 09, France
2 Groupement Interdisciplinaire Ablation Laser et Applications, LP3, FRE 2165 du CNRS, Faculté des Sciences de Luminy, Case 901, 13288 Marseille cedex 09, France
Résumé
Nous montrons que l'utilisation d'un laser UV impulsionnel (ArF*, λ = 193 nm) est très bénéfique pour la synthèse de nano-agrégats de Si dans le régime d'ablation. L'éjection ionique de monomères Si* et de petits agrégats Six+ (x = 2-11) augmente fortement le taux de condensation dans la plume induite par laser UV. De plus, l'importante production d'ions non thermiques assure la stabilisation de la température de la surface irradiée permettant de contrôler la taille des nano-agrégats (1-5 nm) à l'aide d'un seul paramètre : la fluence laser. On peut alors changer la position spectrale de la bande de photoluminescence des nano-agrégats de Si du proche IR au proche UV par la sélection de la taille des nano-agrégats. Ces résultats sont en accord avec l'effet du confinement quantique.
© EDP Sciences 2001