Caractérisation structurale par XRD et RHEED de couches minces épitaxiées de GaN déposées sur Al₂O₃(0001) par ablation laser réactive

Résumé
Des couches minces épitaxiées de GaN ont été déposées sur Al₂O₃(0001) par la technique d'ablation laser réactive en atmosphère d'azote. Une nitruration préalable du substrat s'est avérée indispensable pour obtenir des couches épitaxiées. L'état cristallin de ces couches minces a été caractérisé par diffraction de rayons X (XRD) et par diffraction d'électrons rasants (RHEED). On a établi une corrélation directe entre les figures RHEED observées et les profils de raies de diffraction X obtenus par la méthode de la rocking curve. Cette corrélation permet de suivre in-situ la croissance de la couche GaN et d'en contrôler la qualité cristalline.

Abstract
Thin epitaxial films of GaN have been deposited on Al₂O₃(0001) by reactive laser ablation. A nitruration of the substrate prior to deposition is mandatory in order to obtain epitaxial films. The state of crystallinity of the thin films has been characterized using X-rays and electron diffraction (XRD and RHEED). A clear correlation has been established between the observed RHEED images and the shape of the X-rays peaks measured by the rocking-curve method. This correlation allows to control in-situ the growth of the GaN film and therefore to control its crystalline quality.