Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100) pour l'émission dans le moyen infrarouge ($2-5\,{\mu}$m)

F. Doré; A. Ballestar; C. Cornet; N. Bertru; I. Alghoraibi; R. Piron; J. Even; S. Loualiche

doi:doi:10.1051/jp4:2006135090

Issue		J. Phys. IV France Volume 135, October 2006


Page(s)		283 - 284
DOI		https://doi.org/10.1051/jp4:2006135090
Published online		23 November 2006

Neuvième colloque sur les lasers et l'optique quantique
C. Chardonnet et G. Millot
J. Phys. IV France 135 (2006) 283-284
DOI: 10.1051/jp4:2006135090

Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100) pour l'émission dans le moyen infrarouge ( $2-5\,{\mu}$ m)

F. Doré, A. Ballestar, C. Cornet, N. Bertru, I. Alghoraibi, R. Piron, J. Even and S. Loualiche

LENS-UMR CNRS FOTON 6082, INSA de Rennes, 20 Av. des Buttes de Coësmes, 35043 Rennes Cedex, France
e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

(Publié en ligne 23 novembre 2006)

Résumé
Nous présentons les premiers résultats d'une étude visant la réalisation de lasers à îlots quantiques (IQ) dans le moyen-infrarouge (2-5 $\mu$ m) sur substrat InP(100). Des signaux de photoluminescence à température ambiante autour de 2 $\mu$ m ont été obtenus avec des îlots d'InAs/InGaAsP ainsi qu'autour de 2.4 $\mu$ m dans une structure InAsSb/InGaAs.

Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100) pour l'émission dans le moyen infrarouge ( m)

Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100) pour l'émission dans le moyen infrarouge ( $2-5\,{\mu}$ m)