De la mesure de pertes à la caractérisation dynamique de dispositifs semiconducteurs

L. Lanco; A. De Rossi; S. Ducci; G. Leo; X. Marcadet; M. Calligaro; V. Berger

doi:doi:10.1051/jp4:2006135089

Issue		J. Phys. IV France Volume 135, October 2006


Page(s)		281 - 282
DOI		https://doi.org/10.1051/jp4:2006135089
Published online		23 November 2006

Neuvième colloque sur les lasers et l'optique quantique
C. Chardonnet et G. Millot
J. Phys. IV France 135 (2006) 281-282
DOI: 10.1051/jp4:2006135089

De la mesure de pertes à la caractérisation dynamique de dispositifs semiconducteurs

L. Lanco¹, A. De Rossi², S. Ducci¹, G. Leo¹, X. Marcadet², M. Calligaro² and V. Berger¹

¹ Laboratoire "Matériaux et Phénomènes Quantiques", Université Paris 7, 2 place Jussieu, Case 7021, 75251 Paris, France
² Thales Research and Technology, Route Départementale 128, 91767 Palaiseau, France

(Publié en ligne 23 novembre 2006)

Résumé
Nous proposons deux extensions de la méthode Fabry-Pérot, permettant la mesure des pertes optiques dans les guides d'onde semiconducteurs multimodes ainsi que la caractérisation dynamique de la température et des pertes dans un dispositif semiconducteur actif.