Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100) pour l'émission dans le moyen infrarouge ($2-5\,{\mu}$m)

F. Doré; A. Ballestar; C. Cornet; N. Bertru; I. Alghoraibi; R. Piron; J. Even; S. Loualiche

doi:doi:10.1051/jp4:2006135090

Numéro		J. Phys. IV France Volume 135, October 2006


Page(s)		283 - 284
DOI		https://doi.org/10.1051/jp4:2006135090
Publié en ligne		23 novembre 2006

Neuvième colloque sur les lasers et l'optique quantique
C. Chardonnet et G. Millot
J. Phys. IV France 135 (2006) 283-284
DOI: 10.1051/jp4:2006135090

Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100) pour l'émission dans le moyen infrarouge ( $2-5\,{\mu}$ m)

F. Doré, A. Ballestar, C. Cornet, N. Bertru, I. Alghoraibi, R. Piron, J. Even and S. Loualiche

LENS-UMR CNRS FOTON 6082, INSA de Rennes, 20 Av. des Buttes de Coësmes, 35043 Rennes Cedex, France
e-mail: francois.dore@univ-rennes1.fr

(Publié en ligne 23 novembre 2006)

Résumé
Nous présentons les premiers résultats d'une étude visant la réalisation de lasers à îlots quantiques (IQ) dans le moyen-infrarouge (2-5 $\mu$ m) sur substrat InP(100). Des signaux de photoluminescence à température ambiante autour de 2 $\mu$ m ont été obtenus avec des îlots d'InAs/InGaAsP ainsi qu'autour de 2.4 $\mu$ m dans une structure InAsSb/InGaAs.

Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100) pour l'émission dans le moyen infrarouge ( m)

Structures à îlots quantiques sur substrat InP(100) pour l'émission dans le moyen infrarouge ( $2-5\,{\mu}$ m)