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J. Phys. IV France
Volume 08, Numéro PR5, October 1998
Rayons X et Matière
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| Page(s) | Pr5-31 - Pr5-37 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1998505 | |
J. Phys. IV France 08 (1998) Pr5-31-Pr5-37
DOI: 10.1051/jp4:1998505
Diffraction de rayons X sur le silicium poreux
M. Popescu1, F. Sava1, A. Lörinczi1, I.N. Mihailescu2, I. Cojocaru3 and G. Mihailova41 Institut National pour la Physique des Matériaux, 76900 Bucarest, BP. Mg. 7, Romania
2 Institut National de Lasers, Plasma et Radiations, Bucarest, BP. Mg. 36, Romania
3 Centre d'Optoélectronique, Académie des Sciences, Kishinev, Moldavia
4 Institut de Physique Générale, 38 rue Vavilov, 117942 Moscou, Russia
Résumé
La modification du paramètre de réseau idéal dans le silicium poreux a été déterminée par diffraction de rayons X. On a détecté un effet de contraction dans quelques échantillons. On a découvert que la position de la bande de photoluminescence est liée étroitement à la variation du paramètre de réseau du silicium. On a interprété les données expérimentales dans le cadre d'une théorie basée sur le mécanisme de confinement quantique.
Abstract
The modification of the ideal lattice parameter in porous silicon has been determined by X-ray diffraction. A contraction effect has been detected in several samples. There was shown that the position of the photoluminescence band is related to the modification of the lattice parameter. The quantum theory of confinement in wires was used for the interpretation of the experimental data.
© EDP Sciences 1998