Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 118, November 2004
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Page(s) | 231 - 236 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2004118027 |
J. Phys. IV France 118 (2004) 231-236
DOI: 10.1051/jp4:2004118027
Étude d'un empilement multicouche périodique Mo/Si par spectroscopie d'émission X et par réflectométrie X
P. Jonnard1, J.-M. André1, J. Gautier2, M. Roulliay2, F. Bridou2, F. Delmotte2 et M.-F. Ravet21 Laboratoire de Chimie Physique-Matière et Rayonnement, Université Pierre et Marie Curie, UMR-CNRS 7614, 11 rue Pierre et Marie Curie, 75231 Paris Cedex 05, France
2 Groupe de Physique des Films Minces, Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique, UMR-CNRS 8501, Centre Scientifique, Bât. 503, 91403 Orsay Cedex, France
Abstract
Nous avons étudié
par spectroscopie d'émission X induite par électrons (EXES)
et par
réflectométrie X (RX), un empilement périodique constitué de
bicouches
Mo/Si, destiné à servir de miroir interférentiel dans le
domaine des rayons X mous. Les résultats de RX rasante (
nm) peuvent
être interprétés par une succession de couches
où les atomes de Si se
mélangent aux couches Mo et réciproquement,
avec de plus une rugosité
interfaciale. D'après l'analyse EXES, les
atomes de silicium sont présents
dans deux environnements
physico-chimiques différents. Au centre des couches
Si, se trouve du silicium amorphe et au niveau des interfaces se trouve une
interphase sur une épaisseur d'environ 2 nm où les atomes de Si sont sous
forme de siliciures (Mo5Si3 et MoSi2). La composition de cette
interphase a été déterminée et a permis de reproduire d'une
manière satisfaisante les mesures de réflectivité absolue
effectuées en RX mou (
nm).
© EDP Sciences 2004