Numéro
J. Phys. IV France
Volume 118, November 2004
Page(s) 231 - 236
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:2004118027


J. Phys. IV France 118 (2004) 231-236

DOI: 10.1051/jp4:2004118027

Étude d'un empilement multicouche périodique Mo/Si par spectroscopie d'émission X et par réflectométrie X

P. Jonnard1, J.-M. André1, J. Gautier2, M. Roulliay2, F. Bridou2, F. Delmotte2 et M.-F. Ravet2

1  Laboratoire de Chimie Physique-Matière et Rayonnement, Université Pierre et Marie Curie, UMR-CNRS 7614, 11 rue Pierre et Marie Curie, 75231 Paris Cedex 05, France
2  Groupe de Physique des Films Minces, Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique, UMR-CNRS 8501, Centre Scientifique, Bât. 503, 91403 Orsay Cedex, France


Abstract
Nous avons étudié par spectroscopie d'émission X induite par électrons (EXES) et par réflectométrie X (RX), un empilement périodique constitué de bicouches Mo/Si, destiné à servir de miroir interférentiel dans le domaine des rayons X mous. Les résultats de RX rasante ( $\lambda =
0,154$ nm) peuvent être interprétés par une succession de couches où les atomes de Si se mélangent aux couches Mo et réciproquement, avec de plus une rugosité interfaciale. D'après l'analyse EXES, les atomes de silicium sont présents dans deux environnements physico-chimiques différents. Au centre des couches Si, se trouve du silicium amorphe et au niveau des interfaces se trouve une interphase sur une épaisseur d'environ 2 nm où les atomes de Si sont sous forme de siliciures (Mo5Si3 et MoSi2). La composition de cette interphase a été déterminée et a permis de reproduire d'une manière satisfaisante les mesures de réflectivité absolue effectuées en RX mou ( $\lambda = 1,33$ nm).



© EDP Sciences 2004