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Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 108, juin 2003
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Page(s) | 23 - 27 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:20030588 |
J. Phys. IV France 108 (2003) 23
DOI: 10.1051/jp4:20030588
Formation et transformation de défauts ponctuels par insolation UV dans les diélectriques à base de silice : application à l'intégration de composants optiques sur fibre
A. Boukenter, F. Goutaland, H. Kuswanto, E. Marin, J.P. Meunier and Y. OuerdaneUniversité de Saint-Étienne, Laboratoire de Traifement du Signal et Instrumentation, UMR 5516 du CNRS, 23 rue du Dr. Michelon, 42023 Saint-Étienne cedex 02, France
Résumé
La présence dans les verres germanosilicates de défauts ponctuels résultants de défauts
de liaisons interatomiques ou de stoechiométrie peut être à l'origine d'une modification
photoinduite sous insolation UV de leur indice de réfraction. Cette modification est mise à profit
pour induire une modulation périodique ou variable de l'indice permettant la réalisation de
composants optiques intégrés sur fibre : filtres, miroirs, compensateurs de dispersion
chromatique, étireur-compresseur d'impulsion optique.. .
© EDP Sciences 2003