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J. Phys. IV France
Volume 08, Numéro PR5, October 1998
Rayons X et Matière
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| Page(s) | Pr5-257 - Pr5-262 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1998532 | |
J. Phys. IV France 08 (1998) Pr5-257-Pr5-262
DOI: 10.1051/jp4:1998532
Caractérisation structurale et morphologique de couches minces épitaxiées de Cd1-xZnxTe déposées sur GaAs(001) par ablation laser
J.L. Deiss, J.L. Loison, D. Ohlmann, M. Robino, C. Ulhaq-Bouillet and G. VersiniGroupe d'Optique Non-Linéaire et d'Optoélectronique et Groupe d'Étude des Matériaux Métalliques, Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg, UM 380046 du CNRS, ULP-ECPM, 23 rue du Loess, 67037 Strasbourg cedex, France
Résumé
Des couches minces épitaxiées de Cd1-xZnxTe ont été déposées sur des substrats orientés (001)GaAs par la technique d'ablation laser pulsé. Les cibles de Cd1-xZnxTe de composition x variable utilisées étaient soit des blocs polycristallins ou soit des pastilles pressées à froid obtenues à partir du mélange des poudres binaires CdTe et ZnTe. La qualité morphologique et structurale de ces films minces a été étudiée pour différentes composition x en zinc.
Abstract
Thin epilayers of Cd1-xZnxTe have been deposited on monocrystalline (001)GaAs substrates by a pulsed laser ablation technique. The Cd1-xZnxTe targets used were either commercial polycrystalline wafers or cold-pressed samples obtained by mixing the binary powders CdTe and ZnTe. The morphological and structural quality of these epilayers has been studied for different composition of the Zn content.
© EDP Sciences 1998