Quelle source pour la lithographie dans l'EUV ?

Résumé
L'impressionnante évolution des performances des circuits intégrés (CI) ces trente dernières années, répond à la désormais célèbre loi de Moore. Selon la prédiction faite en 1975 par le co-fondateur d'Intel Gordon Moore et qui n'a jamais été contredite, le nombre de transistors dans un CI allait doubler tous les 18 mois. De simple intuition, la loi de Moore est devenue un impératif à respecter pour l'industrie des CI et des semi-conducteurs en général. La continuité dans les années à venir d'une telle progression technologique permettrait à ce secteur économique de garder, voire augmenter, toute son importance actuelle.

Augmenter le nombre des transistors dans les CI signifie principalement réduire leur taille caractéristique de gravure et par conséquent la longueur d'onde utilisée. Depuis 2000, la lithographie dans l'extrême ultraviolet (EUVL) à 13.5 nm est considérée comme la plus prometteuse parmi les technologies appelées à remplacer la lithographie actuelle qui utilise du rayonnement laser à 193 nm comme source de lumière.

La réalisation d'une machine lithographique industrielle utilisant du rayonnement EUV nécessite la résolution de nombreux problèmes technologiques qui font, depuis des années, l'objet de plusieurs programmes de recherche dans le monde. Une attention toute particulière est portée à la source de rayonnement EUV car ses caractéristiques, notamment de puissance et de propreté, vont décider du succès ou pas de l'EUVL.

Le cahier des charges d'une source EUV, les différents approches pour y répondre ainsi que leurs limites seront présentés ainsi qu'un état de l'art des performances des sources actuelles.