Détecteurs de rayons X à semi-conducteurs. Evolutions récentes

Résumé
Les progrès récents dans la détection des rayons X à l'aide de semi-conducteurs sont passés en revue. Le développement des matériaux à large bande interdite d'une part, l'utilisation des techniques micro-électroniques sur le silicium d'autre part, permettent d'envisager la spectrométrie des rayons X à température ambiante, avec des performances proches de celles obtenues à l'aide de détecteurs refroidis. Les possibilités offertes par de nouveaux dispositifs semi-conducteurs dans le domaine de l'imagerie X sont quant à elles en pleine évolution.

Abstract
Recent advances in the field of X-ray detection with semiconductor detectors are reviewed. The improvement of wide bandgap materials on one hand, the use of microelectronics technology on silicon on the other hand, allow one to perform X-ray spectrometry with performance equivalent to that supplied by cooled detectors. A growing interest for X-ray imaging results from the possibilities given by new semiconductor devices.