Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 108, juin 2003
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Page(s) | 63 - 66 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:20030597 |
J. Phys. IV France 108 (2003) 63
DOI: 10.1051/jp4:20030597
Films minces ferroélectriques Ba 2/3Sr 1/3TiO 3 par ablation laser pour applications hyperfréquences
T. Delage1, C. Champeaux1, A. Catherinot1, J.F. Seaux2, V. Madrangeas2 and D. Cros21 SPCTS, UMR 6638 du CNRS, Faculté des Sciences et Techniques, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges, France
2 IRCOM, UMR 6615 du CNRS, Faculté des Sciences et Techniques, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges, France
Résumé
Les matériaux oxydes ferroélectriques semblent des candidats potentiels intéressants pour les composants d'application dans
le domaine des télécommunications. Parmi les matériaux ferroélectriques, le Titanate de Baryum Strontium
Ba
Sr
TiO
3 a l'avantage d'avoir une température de transition qui varie suivant son taux x de substitution en baryum. Les
films de Ba
2/3Sr
1/3TiO
3 sont élaborés sur substrats monocristallins MgO par ablation laser pulsée avec un laser KrF (248 nm,
durée d'impulsion 14 ns), à un taux de répétition de 10 Hz avec une fluence de 3 J/cm
2 sur la surface de la cible et sous une
atmosphère d'oxygène de 3.10
-1 mbar. Les échantillons réalisés ont été étudiés en diffraction des rayons X en configuration 0-20 afin de déterminer l'orientation
des films déposés. Les échantillons sont ensuite caractérisés dans une cavité résonante en
hyperfréquence (12,5 GHz) afin de déterminer leur permittivité diélectrique. L'introduction d'une sous-couche de
Ba
2/3Sr
1/3TiO
3 déficitaire en oxygène permet d'obtenir des filnis d'épaisseur micronique possédant de bonnes caractéristiques
cristallines et diélectriques.
© EDP Sciences 2003