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Numéro
J. Phys. IV France
Volume 108, juin 2003
Page(s) 63 - 66
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:20030597


J. Phys. IV France
108 (2003) 63
DOI: 10.1051/jp4:20030597

Films minces ferroélectriques Ba 2/3Sr 1/3TiO 3 par ablation laser pour applications hyperfréquences

T. Delage1, C. Champeaux1, A. Catherinot1, J.F. Seaux2, V. Madrangeas2 and D. Cros2

1  SPCTS, UMR 6638 du CNRS, Faculté des Sciences et Techniques, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges, France
2  IRCOM, UMR 6615 du CNRS, Faculté des Sciences et Techniques, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges, France

Résumé
Les matériaux oxydes ferroélectriques semblent des candidats potentiels intéressants pour les composants d'application dans le domaine des télécommunications. Parmi les matériaux ferroélectriques, le Titanate de Baryum Strontium Ba $_{\rm x}$Sr $_{\rm (1-x)}$TiO 3 a l'avantage d'avoir une température de transition qui varie suivant son taux x de substitution en baryum. Les films de Ba 2/3Sr 1/3TiO 3 sont élaborés sur substrats monocristallins MgO par ablation laser pulsée avec un laser KrF (248 nm, durée d'impulsion 14 ns), à un taux de répétition de 10 Hz avec une fluence de 3 J/cm 2 sur la surface de la cible et sous une atmosphère d'oxygène de 3.10 -1 mbar. Les échantillons réalisés ont été étudiés en diffraction des rayons X en configuration 0-20 afin de déterminer l'orientation des films déposés. Les échantillons sont ensuite caractérisés dans une cavité résonante en hyperfréquence (12,5 GHz) afin de déterminer leur permittivité diélectrique. L'introduction d'une sous-couche de Ba 2/3Sr 1/3TiO 3 déficitaire en oxygène permet d'obtenir des filnis d'épaisseur micronique possédant de bonnes caractéristiques cristallines et diélectriques.



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