Développement d'une source EUV plasma laser pour la micro-lithographie

M. Segers; M. Bougeard; E. Caprin; T. Ceccotti; F. Chichmanian; D. Descamps; P. Haltebourg; J.-F. Hergott; S. Hulin; D. Normand; M. Schmidt; O. Sublemontier

doi:doi:10.1051/jp4:20030641

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Numéro		J. Phys. IV France Volume 108, juin 2003


Page(s)		267 - 270
DOI		https://doi.org/10.1051/jp4:20030641

J. Phys. IV France 108 (2003) 267
DOI: 10.1051/jp4:20030641

Développement d'une source EUV plasma laser pour la micro-lithographie

M. Segers, M. Bougeard, E. Caprin, T. Ceccotti, F. Chichmanian, D. Descamps, P. Haltebourg, J.-F. Hergott, S. Hulin, D. Normand, M. Schmidt and O. Sublemontier

Groupe d'Applications des Plasmas, CEA-DSM/DRECAM/SPAM, CE-Saclay, bâtiment 522, 91191 Gif-sur-Yvette cedex, France

Résumé
Le Groupe des Applications Plasma (GAP) du CEA à Saclay participe au projet national PREUVE du Réseau Micro- et Nano-Technologies. Ce projet a été lancé fin 1999 pour réunir et développer les compétences en France sur la lithographie dans l'extrême ultraviolet (LEUV). Au sein de PREUVE, notre objectif a été le développement d'une source plasma laser dans I'EUV autour de 13nm afin de contribuer à la réalisation d'un premier banc d'essai pour la lithographie (BEL) en Europe. Afin de réaliser cette source, nous utilisons un plasma émetteur qui est produit par l'interaction d'un laser de type Nd :YAG sur un jet de gouttelettes de xénon. A la fin du projet PREUVE, cette source satisfait les principales spécifications et répond en particulier aux besoins en flux de photons EUV pour réaliser des tests d'insolation EUV avec le banc d'essai. Suite à ces résultats prometteurs, nous démarrons actuellement un projet industriel EXULITE avec nos partenaires du CEA, d'Alcatel et de Thalès sur le développement d'une source EUV de puissance pour des machines de lithographie de production. Ce projet se terminera en 2005.