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| Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 11, Numéro PR7, Octobre 2001
5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et XApplications et développements récents |
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| Page(s) | Pr7-125 - Pr7-126 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2001739 | |
5e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents
J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-125-Pr7-126
DOI: 10.1051/jp4:2001739
Groupe de Recherche sur l'Énergétique des Milieux Ionisés, Université d'Orléans, BP. 6744, 45067 Orléans cedex 2, France
© EDP Sciences 2001
Applications et développements récents
J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-125-Pr7-126
DOI: 10.1051/jp4:2001739
Étude de la désorption laser UV d'une surface de silicium
T. Gonthiez, T. Gibert and P. BraultGroupe de Recherche sur l'Énergétique des Milieux Ionisés, Université d'Orléans, BP. 6744, 45067 Orléans cedex 2, France
Résumé
La désorption laser UV (λ = 355 nm; σp= 7,5 ns) d'une surface de silicium est étudiée dans un domaine de fluence allant de 300 à 700 mJ/cm2. Nous réalisons l'étude des atomes neutres désorbés en couplant l'ionisation laser résonnante à la spectrométrie de masse. Le dispositif expérimental permet de mesurer des distributions de temps de vol dont l'interprétation nous renseigne sur la dynamique de désorption et sur les mécanismes de l'interaction laser UV/surface de silicium.
© EDP Sciences 2001