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J. Phys. IV France
Volume 08, Numéro PR7, October 1998
3rd International Workshop Microwave Discharges : Fundamentals and Applications
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| Page(s) | Pr7-145 - Pr7-164 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1998712 | |
J. Phys. IV France 08 (1998) Pr7-145-Pr7-164
DOI: 10.1051/jp4:1998712
Modeling the transitions from capacitive to inductive to wave-sustained rf discharges
M.A. Lieberman1 and R.W. Boswell21 Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, U.S.A.
2 Plasma Research Laboratory, Research School of Physical Sciences and Engineering, The Australian National University, ACT, Australia
Abstract
Radio frequency (rf) plasma sources used in the processing of thin films can be divided into three distinct categories : capacitive (E), inductive (H), and wave (W) -sustained (e.g., helicon) discharges. As the excitation power or voltage is increased, transitions from capacitive to inductive to helicon discharges are often observed, in some cases exhibiting hysteresis. A model is developed to determine these transitions based on the electron energy balance in the discharge and the coupling between capacitive, inductive, and helicon electron energy deposition.
Résumé
Les sources plasma radiofréquence (rf) qu'on utilise dans les processus de films minces peuvent se classer en trois catégories : décharges capacitives (E), inductives (H) et entretenues par une onde (W) comme les décharges hélicon. Lorsqu'on augmente la puissance ou la tension d'excitation, on observe souvent des transitions de régimes de décharges : capacitives - inductives - hélicon. Dans certains cas, ces transitions présentent un hystérésis. Nous développons un modèle pour déterminer ces transitions à partir d'un bilan d'énergie électronique dans la décharge et du couplage entre dépôts d'énergie électronique capacitif, inductif et hélicon.
© EDP Sciences 1998