Numéro
J. Phys. IV France
Volume 07, Numéro C6, Décembre 1997
Surfaces et Interfaces des Matériaux Avancés / Surfaces and Interfaces of Advanced Materials
Page(s) C6-3 - C6-17
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:1997601
Surfaces et Interfaces des Matériaux Avancés / Surfaces and Interfaces of Advanced Materials

J. Phys. IV France 07 (1997) C6-3-C6-17

DOI: 10.1051/jp4:1997601

Applications of Infrared Absorption Spectroscopy to the Microelectronic Industry

Y.J. Chabal, M.K. Weldon and V.E. Marsico

Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, NJ 07974, U.S.A.


Abstract
Silicon oxide and hydrogen are ubiquitous in materials and processing issues in microelectronics. This paper reviews the value of infrared absorption spectroscopy to characterize the chemical and structural nature of silicon oxides, including buried oxides, and the presence of hydrogen both at silicon surfaces and in silicon oxides. Results involving the wet chemical cleaning of silicon and the fabrication issues of Silicon-on-Insulator are presented. Particular emphasis is given to the characterization of buried interfaces, for which IR spectroscopy is particularly useful.


Résumé
L'oxyde de silicium et l'hydrogène jouent un rôle important dans la fabrication de matériaux pour les composants microélectroniques. Cet article présente la spectroscopie infrarouge comme une technique de grande valeur pour caractériser chimiquement et structurellement l'oxyde de silicium, tant en surface qu'enfoui, et pour detecter la présence d'hydrogène aux surfaces et dans l'oxyde de silicium. Les résultats présentés comprennent le décapage en solutions chimiques et les problèmes de fabrication de matériau Silicium-sur-Isolant. Cette présentation est centrée en particulier sur la caractérisation des interfaces internes, pour lesquelles la spectroscopie infrarouge est particulièrement utile.



© EDP Sciences 1997