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J. Phys. IV France
Volume 06, Numéro C4, Juillet 1996
Rayons X et Matiére100 ans déjà ... |
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Page(s) | C4-341 - C4-349 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1996431 |
100 ans déjà ...
J. Phys. IV France 06 (1996) C4-341-C4-349
DOI: 10.1051/jp4:1996431
Présentation des possibilités de la diffraction de surface en ultra-vide sur les lignes françaises à l'ESRF
A. Barbier1, R. Baudoing-Savois2, G. Renaud1, M. de Santis2, O. Robach1, M.-C. Saint-Lager2, P. Jeantet3, P. Taunier2, J.-P. Roux3, O. Ulrich1, A. Mougin1, G. Berard1 and O. Geaymond21 Département de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée SP2M/P1, CEA/Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex, France
2 CNRS, Laboratoire de Cristallographie, BP. 166, 38042 Grenoble cedex, France
3 CNRS-SERAS, BP. 166, 38042 Grenoble, France
Résumé
Après une brève introduction portant sur l'étude de surfaces et d'interfaces par rayons X nous
présentons dans cet article un équipement nouvellement constnllt à I'ESRF (European Synchrotron Radiation
Facility) sur la ligne D32(CRG-IF IF i.e. Collaborating Reseach Group - Interface). Il s'agit d'un goniomètre
équipé d'une chambre ultra-vide ainsi que d'un système de transfert et d'introduction rapide d'échantillon ; il
permet de réaliser des études par diffraction de rayons X en incidence rasante de surfaces et d'interfaces in situ.
Nous décrivons brièvement les appareils antérieurs en précisant quelles sont les améliorations apportées par
notre équipement sans toutefois entrer dans des détails trop techniques. De premiers résultats sont aussi
présentés.
Abstract
After a brief introduction to the matter of X-rays diffraction at surfaces and interfaces we present in
this paper an original and new equipment recently built at the ESRF (European Synchrotron Radiation Facility)
on beamline D32(CRG-IF i.e. Collaborating Reseach Group - Interface). This goniometer is equipped with an
ultrahigh vacuum chamber, a sample transfer and an introduction system. It allows one to study the growth via
grazing incidence X rays diffraction of in situ prepared surfaces and interfaces. Without giving ail technical
details we also discuss the improvement we have made on this apparatus in regard to previous ones. First
results are also presented.
© EDP Sciences 1996