J. Phys. IV France 127 (2005) 25-31DOI: 10.1051/jp4:2005127005
Quelle source pour la lithographie dans l'EUV ?
T. Ceccotti Groupe d'Application des Plasmas, CEA-DSM/DRECAM/SPAM, CE de Saclay,
91191 Gif-sur-Yvette, France
Résumé
L'impressionnante évolution des performances
des circuits intégrés (CI) ces trente dernières années,
répond à la désormais célèbre loi de Moore. Selon la
prédiction faite en 1975 par le co-fondateur d'Intel Gordon Moore et qui
n'a jamais été contredite, le nombre de transistors dans un CI
allait doubler tous les 18 mois. De simple intuition, la loi de Moore est
devenue un impératif à respecter pour l'industrie des CI et des
semi-conducteurs en général. La continuité dans les années
à venir d'une telle progression technologique permettrait à ce
secteur économique de garder, voire augmenter, toute son importance
actuelle.
Augmenter le nombre des transistors dans les CI signifie principalement
réduire leur taille caractéristique de gravure et par conséquent
la longueur d'onde utilisée. Depuis 2000, la lithographie dans
l'extrême ultraviolet (EUVL) à 13.5 nm est considérée comme
la plus prometteuse parmi les technologies appelées à remplacer la
lithographie actuelle qui utilise du rayonnement laser à 193 nm comme
source de lumière.
La réalisation d'une machine lithographique industrielle utilisant du
rayonnement EUV nécessite la résolution de nombreux problèmes
technologiques qui font, depuis des années, l'objet de plusieurs
programmes de recherche dans le monde. Une attention toute particulière
est portée à la source de rayonnement EUV car ses
caractéristiques, notamment de puissance et de propreté, vont
décider du succès ou pas de l'EUVL.
Le cahier des charges d'une source EUV, les différents approches pour y
répondre ainsi que leurs limites seront présentés ainsi qu'un
état de l'art des performances des sources actuelles.
© EDP Sciences 2005
