Numéro
J. Phys. IV France
Volume 01, Numéro C6, Décembre 1991
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors
2nd International Workshop
Page(s) C6-35 - C6-37
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1991606
Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors
2nd International Workshop

J. Phys. IV France 01 (1991) C6-35-C6-37

DOI: 10.1051/jp4:1991606

RECOMBINATION MECHANISM AT DISLOCATIONS IN GaAs EBIC CONTRAST STUDY

B. SIEBER and J.L. FARVACQUE

Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, URA 234, Bâtiment C6, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres-Artois, F-59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France

Without abstract




© EDP Sciences 1991
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