Journal de Physique IV

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Thermal stability of Gd₂O₃/Si(100) interfacial transition layer

H. Nohira, T. Yoshida, H. Okamoto, S. Shinagawa, W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, Ng Jin Aun, Y. Kobayashi et al. (6 de plus)

J. Phys. IV France, 132 (2006) 273-277

Publié en ligne : 11 mars 2006

DOI: 10.1051/jp4:2006132052

H. Nohira

T. Yoshida

H. Okamoto

S. Shinagawa

W. Sakai

K. Nakajima

M. Suzuki

K. Kimura

Ng Jin Aun

Y. Kobayashi

S. Ohmi

H. Iwai

E. Ikenaga

Y. Takata

K. Kobayashi

T. Hattori

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