Journal de Physique IV

Hot carrier effects in sub-0.1 µm gate length MOSFETs between room and liquid helium temperatures

F. Balestra, M. Tsuno, T. Matsumoto, H. Nakabayashi et M. Koyanagi

J. Phys. IV France, 04 C6 (1994) C6-75-C6-80

DOI: 10.1051/jp4:1994612

F. Balestra

M. Tsuno

T. Matsumoto

H. Nakabayashi

M. Koyanagi

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