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Article cité :

Dielectric relaxation phenomena in superparaelectric and ferroelectric ceramic thin films and the relevance with respect to high density DRAM and FRAM applications

M. Schumacher, S. Manetta, R. Waser

J. Phys. IV France, 08 PR9 (1998) Pr9-117-Pr9-120

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1998920

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Citations de cet article :

Investigation of band gap and permittivity of the perovskite CaTiO3in ultrathin layers

A Krause, W M Weber, D Pohl, et al.
Journal of Physics D: Applied Physics 48 (41) 415304 (2015)
https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/41/415304

Relaxation mechanism of ferroelectric switching in Pb(Zr,Ti)O3 thin films

O. Lohse, M. Grossmann, U. Boettger, D. Bolten and R. Waser
Journal of Applied Physics 89 (4) 2332 (2001)
https://doi.org/10.1063/1.1331341