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Article cité :

PLANARIZED LOW-STRESS OXIDE/NITRIDE PASSIVATION FOR ULSI DEVICES

H. TREICHEL, R. BRAUN, Z. GABRIC, O. SPINDLER, A. GSCHWANDTNER

J. Phys. IV France, 02 C2 (1991) C2-839-C2-846

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:1991299

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Citations de cet article :

Silicon nitride deposition using Inductive Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition technique to study optoelectronics behavior for solar cell application

S. Maity and S. Sahare
Optik 127 (13) 5240 (2016)
https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2016.03.040

Effects of Substrate Temperature on the Properties of Silicon Oxide Films by PECVD

Chun Ya Li, Xi Feng Li, Long Long Chen, Ji Feng Shi and Jian Hua Zhang
Applied Mechanics and Materials 198-199 28 (2012)
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMM.198-199.28