Caractérisation du seuil de dommage dans les cristaux de saphir dopé au titane avec des impulsions de durée nanoseconde, picoseconde et femtoseconde

F. Canova; J.-P. Chambaret; G. Mourou; M. Sentis; O. Uteza; P. Delaporte

doi:doi:10.1051/jp4:2006138019

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Numéro		J. Phys. IV France Volume 138, December 2006


Page(s)		163 - 169
DOI		https://doi.org/10.1051/jp4:2006138019
Publié en ligne		6 janvier 2007

8e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X : Applications et développements récents
R. Moncorgé et J.L. Doualan
J. Phys. IV France 138 (2006) 163-169
DOI: 10.1051/jp4:2006138019

Caractérisation du seuil de dommage dans les cristaux de saphir dopé au titane avec des impulsions de durée nanoseconde, picoseconde et femtoseconde

F. Canova¹, J.-P. Chambaret¹, G. Mourou¹, M. Sentis², O. Uteza² and P. Delaporte^{2, 2}

¹ LOA, ENSTA, École Polytechnique, Chemin de la Hunière, 91761 Palaiseau Cedex, France
² LP3 Pôle Scientifique et Technologique de Luminy, 163 avenue de Luminy, C. 917, 13288 Marseille Cedex 9, France

(Publié en ligne le 6 janvier 2007)

Résumé
Le verrou principal pour le développement des systèmes femtoseconde robustes et rentables est l'incertitude du seuil de dommages du cristal de Ti : Saphir. Nous avons d'abord caractérisé le seuil diélectrique de dommages du Ti : Saphir.