Simulation et détermination par rayons X des contraintes dans des micro-composants modèles

Abstract
Dans les composants de la microélectronique, du fait de l'existence de singularités géométriques, de très fortes contraintes sont générées. Des micro-composants modèles, formés de lignes régulières déposées sur un substrat mono-cristallin sont utilisés pour mettre au point une méthode générique de détermination des contraintes mécaniques locales dans la ligne et dans le substrat. Pour cela, des mesures par diffraction des rayons X et des simulations sont mises au point. Le dispositif expérimental est décrit. Les simulations sont réalisées à l'aide de deux types d'approche: le modèle de Hu, analytique, et la méthode des éléments finis. Ces deux approches sont comparées entre elles, et une courbe universelle est établie, donnant la contrainte moyenne dans une ligne en fonction d'un paramètre incluant sa forme et les propriétés élastiques du substrat et de la ligne. Enfin, le couplage entre les mesures par diffraction de rayons X à haute résolution (HRXRD) et les simulations par éléments finis ouvrent une voie pour la détermination de contraintes locales.