J. Phys. IV France 106 (2003) 53
DOI: 10.1051/jp4:20030215

La transition fragile-ductile de 4H-SiC monocristallin

J.L. Démenet¹, M. Zhang², H.M. Hobgood³ and P. Pirouz<sup>2

1</sup>  Laboratoire de Métallurgie Physique, UMR 6630 du CNRS, Université de Poitiers, SP2MI, 86962 Chasseneuil-Futuroscope cedex, France
²  Department of Materials Science and Engineering, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106-7204, U.S.A.
³  Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, U.S.A.

Résumé
La transition fragile-ductile du polytype 4H du carbure de silicium a été étudiée entre 750 C et 1300 C en utilisant deux techniques : la déformation par compression à vitesse imposée et la flexion 4 points. La courbe représentant les variations de la contrainte d'écoulement en fonction de la température présente une cassure à une température T , associée à un changement de mécanisme de déformation, comme le confirment les observations par Microscopie Electronique en Transmission. Par ailleurs, les essais de flexion ont permis de déterminer la température de transition fragile-ductile T en fonction de la vitesse de déformation. La comparaison des deux types d'essais montre que T est assimilable à T .

© EDP Sciences 2003