Cartographies intra et intermodales d'un laser à semi-conducteurs soumis à injection optique

S. Blin; G.M. Stéphan; P. Besnard

doi:doi:10.1051/jp4:20020175

Numéro		J. Phys. IV France Volume 12, Numéro 5, June 2002


Page(s)		313 - 314
DOI		https://doi.org/10.1051/jp4:20020175

J. Phys. IV France 12 (2002) Pr5-313
DOI: 10.1051/jp4:20020175

Cartographies intra et intermodales d'un laser à semi-conducteurs soumis à injection optique

S. Blin^{1, 1}, G.M. Stéphan² and P. Besnard²

¹ Laboratoire COMELEC, URA 820 du CNRS, ENST Paris, 46 rue Barrault, 75013 Paris, France
² Laboratoire d'Optronique, URA 6082 du CNRS, ENSSAT, 6 rue de Kérampont, 22305 Lannion, France

Résumé
Les résultats concernent l'injection optique d'un laser à semi-conducteurs de type DFB émettant à la longueur d'onde de 1550 nm. Nous dressons des cartographies intra et intermodes présentant les différents comportements d'un laser soumis à injection optique (accrochage total, mélanges multi-ondes, chaos...) dans le plan (puissance injectée / désaccord en fréquence entre le maître et l'esclave). Nous montrons la différence notable entre un laser esclave polarisé prias ou loin du seuil et nous précisons également les zones de bistabilités.