Numéro
J. Phys. IV France
Volume 12, Numéro 5, June 2002
Page(s) 267 - 268
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:20020155


J. Phys. IV France
12 (2002) Pr5-267
DOI: 10.1051/jp4:20020155

Microlasers à cristaux photoniques en InP reporté sur silicium

C. Monat1, C. Seassal1, X. Letartre1, P. Rojo-Romeo1, P. Regreny1, P. Viktorovitch1, G. Hollinger1, E. Jalaguier2, S. Pocas2, B. Aspar2, M. Le Vassor d'Yerville3, D. Cassagne3 and C. Jouanin3

1  LEOM-École Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, 69131 Ecully cedex, France
2  CEA-LETI, Département des Technologies Silicium, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France
3  Groupe d'Étude des Semiconducteurs, UMR 5650 du CNRS, Université Montpellier II, place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier cedex 05, France

Résumé
Nous avons réalisé des microcavités à cristaux photoniques à 2D sur une hétérostructure en InP reportée sur silicium. Les propriétés modales de ces structures ont été étudiées théoriquement et expérimentalement, en fonction de la taille de la cavité et du diamètre des trous du cristal photonique. Un pompage de ces structures en régime pulsé à température ambiante a permis d'atteindre une mission laser pour un seuil effectif de l'ordre de 2 MW.



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