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J. Phys. IV France
Volume 12, Numéro 5, June 2002
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| Page(s) | 263 - 264 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:20020153 | |
J. Phys. IV France 12 (2002) Pr5-263
DOI: 10.1051/jp4:20020153
Laser UV à semiconducteur nitrure pompé par des micropointes
J. Barjon, C. Adelmann, R. Baptist, J. Brault, B. Daudin, Le Si Dang and E. MolvaÉquipe Mixte CEA-CNRS-UJF "Nanophysique et Semiconducteurs", CEA Grenoble, DRFMC/SP2M/PSC, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France
Résumé
Dans un Laser à Semiconducteur Micropointes (LSM), le milieu amplificateur est pompé par un faisceau d'électrons issus de
micropointes effet de champ. Ce type de laser est particulièrement adapté aux semi-conducteurs à grands gaps tels que les
nitrures GaN et AIN émettant dans l'UltraViolet, pour lesquels le dopage et la prise de contact ohmique deviennent problématiques.
Ce papier présente ce dispositif et l'état d'avancement des travaux.
© EDP Sciences 2002