Méthode originale d'amplification régénératrice avec un laser XeCl : application à la lithographie EUV

S. Branly; M. Makarov

doi:doi:10.1051/jp4:2001717

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Numéro		J. Phys. IV France Volume 11, Numéro PR7, Octobre 2001 5^e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X Applications et développements récents


Page(s)		Pr7-47 - Pr7-50
DOI		https://doi.org/10.1051/jp4:2001717

5^e Colloque sur les Sources cohérentes et incohérentes UV, VUV et X
Applications et développements récents

J. Phys. IV France 11 (2001) Pr7-47-Pr7-50
DOI: 10.1051/jp4:2001717

Méthode originale d'amplification régénératrice avec un laser XeCl : application à la lithographie EUV

S. Branly and M. Makarov

Sopra-sa, 26 rue Pierre Joigneaux, 92270 Bois-Colombes, France

Résumé
Il semble désormais acquis que pour suivre la loi de Moore et atteindre la resolution de 70 nm en 2006, la nouvelle génération de lithographie devra utiliser des sources d'illumination émettant autour de 13 nm. Différentes sources sont d'ores et déjà envisagées dont les plasmas générés par laser. Les lasers excimères actuellement utilisés pour la lithographie à 248 et 193 nm auront encore leur chance pour la lithographie à 13 nm à conditions de s'adapter aux nouvelles exigences de la production de wafers. Ils devront pouvoir délivrer 1800 watts de puissance moyenne à près de 10 kHz. Une méthode originale d'amplification générant des trains d'impulsions nanosecondes est décrite. Elle permet d'augmenter artificiellement le taux de répétition du laser et se révèle très efficace pour extraire l'énergie stockée dans l'amplificateur.