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J. Phys. IV France
Volume 07, Numéro C6, Décembre 1997
Surfaces et Interfaces des Matériaux Avancés / Surfaces and Interfaces of Advanced Materials
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Page(s) | C6-175 - C6-187 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1997615 |
J. Phys. IV France 07 (1997) C6-175-C6-187
DOI: 10.1051/jp4:1997615
L'impact d'électrons lents sur les surfaces de matériaux diélectriques : méthodes d'analyse et applications industrielles
L. SancheGroupe CRM en Sciences des Radiations, Faculté de Médecine, Université de Sherbrooke, Sherbrooke, Québec, J1H 5N4, Canada
Résumé
Les électrons de basse énergie (0-30 eV) sont impliqués en tant que source d'excitation primaire
ou en tant que produits secondaires dans un grand nombre de processus industriels et de techniques
d'analyse des matériaux. Leurs interactions près de la surface de solides diélectriques peut être étudiée en
utilisant des faisceaux d'électrons de faible énergie à haute résolution. Les principales expériences permettant
d'étudier ces interactions sont brièvement décrites dans cet article. Des exemples de résultats
obtenus avec ces dernières sont inclus afin d'illustrer les mécanismes de base et de fournir une description
des processus fondamentaux de dégradation impliqués durant l'irradiation. L'importance de ces mécanismes
pour la dosimétrie, le vieillissement électronique des câbles à haute tension et la nanolithographie est
expliquée brièvement.
Abstract
Low energy electrons (0-30 eV) are involved in a large number of industrial processes and of
analytical techniques for material analysis either as secondary particles or as the primary excitation source.
The interaction of these electrons near the surface of dielectric solids can be investigated with highresolution
low-energy electron-beam techniques. The major types of experiments are briefly described in
this article and examples of the results obtained from them are given to illustrate the basic mechanisms
which control the electron-solid interactions and to provide a description of the basic degradation
processes involved during irradiation. The importance of these mechanisms for dosimetry, electronic aging
of high-voltage cables and nanolithography is briefly explained.
© EDP Sciences 1997