Faisabilité et croissance avec haute reproductibilité de multicouches métalliques à magnétorésistance géante par pulvérisation diode RF

Résumé
Les objectifs du présent travail sont de deux ordres : d'abord obtenir le rapport de MRG, ΔR/R, le plus élevé dans des multicouches Co/Cu élaborées à partir du procédé inhabituel de pulvérisation par diode radiofréquence (RF). En second, analyser les corrélations entre la MRG d'une part et les textures et rugosités interfaciales déduites des diffractions X aux petits et grands angles et de la microscopie à force atomique (MFA) d'autre part. A cet effet, nous avons cherché à induire différentes structures interfaciales en modifiant les paramètres de pulvérisation (pression du gaz pulvérisant P_Ar) ce qui, par ailleurs, a permis de définir les conditions optimales de dépôt pour l'obtention d'une MRG élevée. L'influence de l'épaisseur t_Co du film Co a été étudiée pour une épaisseur du film de Cu = 9Å correspondant au premier maximum de la dépendance oscillatoire avec t_Cu du rapport de MRG. De ces résultats, nous concluons que le paramètre pertinent est la rugosité interfaciale qui induit un effet important à la fois sur la MRG et sur la résistivité des super-réseaux. Un changement de pente de Rs^-1 en fonction de t²_Co est attribué à une augmentation de l'effet de rugosité quand t_Co décroît de l'échelle mésoscopique (t_Co> 25Å) vers l'échelle nanoscopique (t_Co< 25Å).