X-ray lithography : an overview and recent activities at super-ACO

Résumé
Dans ce papier, nous présentons les possibilités de la lithographie X par proximité (XRL) pour la production de circuits imprimés à très forte intégration (ULSI). Les dernières performances, réalisées en utilisant le rayonnement synchrotron, montrent que cette technologie est prête à aborder l'échelle d'intégration du Gbit. Nous décrivons également l'activité du laboratoire L2M/CNRS qui comprend le développement d'une technologie pour réaliser des nano-masques (< 0.1 µm) et la réalisation d'expériences de nano-lithographie X sur Super-ACO. La description des résultats obtenus est une démonstration des possibilités offertes par cette technique en micro et nano-fabrication .

Abstract
In this paper, the current status of synchrotron based XRL is discussed in view to present this technic as an alternative path to ultra-large-scale-integrated circuit (ULSI) with feature sizes of quarter micrometer and below. Also, are described the L2M laboratory activities in nanomask fabrication and nanolithography using the synchrotron radiation of Super-ACO. Results show that the range of 50 nm can be currently achieved. Examples of device nano-fabrication are given.