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J. Phys. IV France
Volume 135, October 2006
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Page(s) | 193 - 194 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2006135053 | |
Published online | 23 November 2006 |
Neuvième colloque sur les lasers et l'optique quantique
C. Chardonnet et G. Millot
J. Phys. IV France 135 (2006) 193-194
DOI: 10.1051/jp4:2006135053
Étude en température d'un laser à un seul plan de boîtes quantiques d'InAs sur substrat InP émettant à 1,55
E. Homeyer, R. Piron, P. Caroff, C. Paranthoen, O. Dehaese, A. Le Corre and S. Loualiche
Laboratoire LENS (CNRS/UMR FOTON 6082), INSA-Rennes, 35043 Rennes, France
e-mail: estelle.homeyer@ens.insa-rennes.fr
(Publié en ligne 23 novembre 2006)
© EDP Sciences 2006
C. Chardonnet et G. Millot
J. Phys. IV France 135 (2006) 193-194
DOI: 10.1051/jp4:2006135053
Étude en température d'un laser à un seul plan de boîtes quantiques d'InAs sur substrat InP émettant à 1,55
m
E. Homeyer, R. Piron, P. Caroff, C. Paranthoen, O. Dehaese, A. Le Corre and S. Loualiche Laboratoire LENS (CNRS/UMR FOTON 6082), INSA-Rennes, 35043 Rennes, France
e-mail: estelle.homeyer@ens.insa-rennes.fr
(Publié en ligne 23 novembre 2006)
Résumé
Nous présentons ici l'étude en température d'un laser
à une couche unique de boites quantiques d'InAs sur substrat
InP(311)B. Ce laser émet dans la bande de longueur d'onde des
télécommunications optiques
. Il
présente une densité de courant de seuil de 6 A/cm2
à basse température (110 K), témoin d'un excellent gain
matériau. L'étude du spectre d'électroluminescence en
fonction de la température montre un important élargissement
spectral à basse température, qui se réduit de façon
drastique lorsqu'on s'approche de la température ambiante. Cette
caractéristique dénote un comportement inhomogène des
boites quantiques à basse température.
© EDP Sciences 2006