Caractérisation par ellipsométrie spectroscopique de films minces de tellurure de bismuth obtenus par voie électrochimique

Résumé
Des films de tellurure de bismuth (Bi₂Te₃) d'épaisseur proche de 1 mm ont été développés par voie électrochimique. Leurs indices optiques ont été déterminés par ellipsométrie spectroscopique (SE). Le domaine spectral des indices optiques s'étend de 400 nm à 1300 nm. L'ellipsométrie spectroscopique à angle d'incidence variable (VASE) a été utilisée pour corréler les données SE. Cette partie a été complétée par des analyses par microscopie à force atomique (AFM) qui ont permis de déterminer la rugosité des films. A partir de ces résultats et en associant l'absorption fondamentale des films de Bi₂Te₃ à une transition indirecte, l'énergie de bande interdite a été évaluée à 0,3 eV. Par ailleurs des mesures associant ellipsométrie spectroscopique à temps réel et électrochimie ont pu être réalisées. Ainsi les premiers instants de croissance ont été observés.