| Issue |
J. Phys. IV France
Volume 119, November 2004
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | 9 - 12 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:2004119002 | |
J. Phys. IV France 119 (2004) 9-12
DOI: 10.1051/jp4:2004119002
Vers le laser à polaritons : apport des microcavités semiconductrices à puits quantiques CdTe
R. André1, F. Boeuf1, Le Si Dang1, J. Kasprzak1, M. Richard1, R. Romestain1, J. Bleuse2 and M. Müller21 Équipe CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, Laboratoire de Spectrométrie Physique (CNRS UMR 5588), Université J.-Fourier-Grenoble, 38402 Saint Martin d'Hères Cedex, France
2 Équipe CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, CEA-Grenoble/Département de Recherche Fondamentale sur la Matière Condensée, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France
Abstract
Nous présentons les propriétés d'émission spécifiques des microcavités semiconductrices à puits quantiques CdTe dans le "régime
de couplage fort". Dans ce régime, le déclin radiatif des excitons vers le mode optique de la microcavité est un processus
réversible conduisant à la formation d'états mixtes exciton-photon, appelés polaritons de cavité. Malgré leurs composantes
électron et trou les polaritons sont des bosons suffisamment robustes pour conduire, sous forte excitation non-résonante,
à un processus de stimulation de la relaxation des polaritons vers leur état de plus basse énergie dont l'émission est alors
stimulée sans que la notion d'inversion de population n'intervienne.
© EDP Sciences 2004