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J. Phys. IV France
Volume 108, juin 2003
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| Page(s) | 71 - 74 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:20030599 | |
J. Phys. IV France 108 (2003) 71
DOI: 10.1051/jp4:20030599
Caractérisation de jonctions ultra-minces réalisées par dopage laser
G. Kerrien1, T. Sarnet1, D. Débarre1, M. Hernandez2, D. Zahorski2, J. Venturini2, C. Laviron3, M.N. Semeria3 and J. Boulmer11 Institut d'Électronique Fondamentale, UMR 8622 du CNRS, Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France
2 SOPRA, 26 rue Pierre Joigneaux, 92270 Bois-Colombes, France
3 CEA-DRT, LETI/DTS, 17 avenue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France
Résumé
Cette étude concerne les techniques de recuit laser (LTP) et de dopage laser direct (GILD) de jonctions
ultra-minces, nécessaires à la fabrication des composants microélectroniques du futur (générations CMOS sub 0,1
m). Des jonctions de 20 à 80 nm sont réalisées à l'aide d'un laser à excimères. Le procédé est suivi en temps réel
grâce à l'analyse de la réflectivité transitoire à 675 nm. L'évolution de l'activation des dopants est ensuite
caractérisée par spectroscopie IR (FTIR). Les résultats obtenus permettent de caractériser les jonctions en termes
d'épaisseur dopées, concentration et résistivité. Une comparaison avec des caractérisations classiques (mesures
électriques de résistivité, profils SIMS) permet de valider ces mesures et de mettre en évidence l'intérêt des
techniques optiques pour la caractérisation in-situ et ex-situ des couches minces dopées réalisées par laser.
© EDP Sciences 2003