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J. Phys. IV France
Volume 09, Number PR4, April 1999
41e Colloque de Métallurgie de l'INSTNSégrégation interfaciale dans les solides |
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| Page(s) | Pr4-13 - Pr4-19 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1999402 | |
Ségrégation interfaciale dans les solides
J. Phys. IV France 09 (1999) Pr4-13-Pr4-19
DOI: 10.1051/jp4:1999402
Enrichissement en oxygène de l'interface Mg0 - Cu {001}//{001}
M. Backhaus-Ricoult1, S. Laurent1, J. Devaud,1, M. Hÿtch1, D. Imhoff2 and S. Hagège11 Centre d'Études de Chimie Métallurgique, CNRS, 15 rue G. Urbain, 94407 Vitry, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, CNRS, Université d'Orsay, 91406 Orsay, France
Résumé
Les structures atomique et électronique d'équilibre d'interfaces (001)MgO// (001)Cu à différentes activités d'oxygène sont étudiées par microscopie électronique à haute résolution et par spectroscopie de pertes d'énergie des électrons. A forte pression d'oxygène (10-8 bar à 900°C) l'interface est plane à l'échelle atomique ; le transfert de charge du cuivre à l'interface conduisant partiellement à un état de Cu(I) et une distance interplanaire élevée à l'interface indiquent que le dernier plan (001) du MgO est plus riche en oxygène qu'en magnésium et doit donc posséder un fort taux de lacunes de magnésium. Pour des interfaces en équilibre à de plus faibles activités d'oxygkne (10-12 et 10-20 à 900°C), plus aucun transfert de charge visible ne peut être associé à l'interface et celle ci n'est plus lisse à l'échelle atomique. Cette évolution de morphologie peut se comprendre par une restructuration plus ou moins complète de l'interface, en fonction de l'enrichissement en oxygène de l'interface, avec apparition progressive de marches et/ou microfacettes à partir du plan moyen (001).
© EDP Sciences 1999