SiGe Hetero FETs on silicon at cryogenic temperature
F. Aniel, M. Enciso-Aguilar, N. Zerounian, L. Giguerre, P. Crozat, R. Adde, M. Zeuner, G. Höck, T. Hackbarth, H.-J. Herzog et U. König
J. Phys. IV France, 12 3 (2002) 3-10
DOI: https://doi.org/10.1051/jp420020026
