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Article cité :

Laser-based measurements of temperature dependence of carrier mobility and lifetime in Si wafers using photocarrier radiometry

J. Batista, A. Mandelis, D. Shaughnessy

J. Phys. IV France, 125 (2005) 443-445

DOI: https://doi.org/10.1051/jp4:2005125104

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Citations de cet article :

Photothermal radiometry methods in materials science and applied chemical research

Polina S. Fomina and Mikhail A. Proskurnin
Journal of Applied Physics 132 (4) (2022)
https://doi.org/10.1063/5.0088817