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Numéro
J. Phys. IV France
Volume 108, juin 2003
Page(s) 275 - 279
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:20030643


J. Phys. IV France
108 (2003) 275
DOI: 10.1051/jp4:20030643

Développement d'une source plasma-laser pour la lithographie dans l'extrême ultraviolet

G. Soullié, C. Lafon, R. Rosch, D. Babonneau, F. Garaude, S. Huelvan, T. Trublet, L. Bonnet and R. Marmoret

CEA/DAM Ile de France, BP. 12, 91680 Bruyères-le-Châtel, France

Résumé
Cet article présente notre rôle au sein du projet PREUVE (PRogramme Extrême UV), en particulier, le développement et la caractérisation d'une source EUV plasma-laser. Cette souce est basée sur l'utilisation du rayonnement EUV émis en face arrière d'une cible irradiée par laser. Le laser utilisé possède les caractéristiques suivantes : énergie de 2 J, durée d'impulsion de 7 ns et taux de répétition de 10 Hz. La cible est composée d'étain supporté par un film de mylar. Nous présentons ici les diagnostics développés pour la caractérisation de cette source ainsi que les derniers résultats obtenus.



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