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J. Phys. IV France
Volume 12, Numéro 5, June 2002
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| Page(s) | 247 - 249 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:20020148 | |
J. Phys. IV France 12 (2002) Pr5-247
DOI: 10.1051/jp4:20020148
Cr 2+: ZnSe polycristallin ; matériau laser pour le MIR
S. Herriot1, J.P. Pocholle1, V. Berger1, M. Pham-Thi1, E. Lallier1, F. Julien2, R. Triboulet1 and S. Fusil31 Thales Research and Technology-Fr, Domaine de Corbeville, 91404 Orsay, France
2 Institut d'électronique Fondamentale, CNRS, Université Paris Xl, 91405 Orsay, France
3 Laboratoire de Physique des Solides et Recristallisation, CNRS Bellevue, France
Résumé
Le semi-conducteur II-VI, ZnSe, dopé au Cr2+ présente une émission laser dans le moyen infrarouge entre 2 et 3
m à 300 K. Une accordabilité en longueur d'onde entre 2.2 et 2.62
m a déjà été observée. L'intérêt des polycristaux de ZnSe en tant que matériau hôte pour le Cr
2+ est non négligeable en terme de coût et de dimension comparativement aux monocristaux. L'étude des deux types de matrice
a permis de quantifier les pertes et les efficacités laser. En régime de commutation de gain, le polycristal présente une
efficacité optique-optique de 28% contre 33% pour un monocristal de Cr
2+: ZnSe.
© EDP Sciences 2002