Numéro
J. Phys. IV France
Volume 10, Numéro PR10, September 2000
Rayons X et Matière
Page(s) Pr10-15 - Pr10-20
DOI https://doi.org/10.1051/jp4:20001002
Rayons X et Matière

J. Phys. IV France 10 (2000) Pr10-15-Pr10-20

DOI: 10.1051/jp4:20001002

Étude par diffraction de rayons X de la relaxation thermique et des échanges induits par les rayons ultraviolets dans les couches minces de calcogénures amorphes de Ge-As-Se

M. Popescu

Institut National pour la Physique des Matériaux, Bucharest-Magurele, BP. Mg. 7, Roumanie


Résumé
La relaxation thermique et la relaxation induite par les rayons ultraviolets dans les couches minces amorphes de composition GexAs40-xSe60 (0≤x≤40) ont été étudiées par diffraction de rayons X. Les résultats structuraux obtenus ont permis de dresser les modèles de transformation à l'échelle atomique.


Abstract
Thermal relaxation and the relaxation induced by UV radiation in thin amorphous films of composition GexAs40-xSe60 (0≤x≤40) have been investigated by diffraction de rayons X. The structural results allowed to suggest the models for the atomic scale transformations.



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