| Numéro |
J. Phys. IV France
Volume 09, Numéro PR4, April 1999
41e Colloque de Métallurgie de l'INSTNSégrégation interfaciale dans les solides |
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| Page(s) | Pr4-241 - Pr4-248 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1999432 | |
41e Colloque de Métallurgie de l'INSTN
Ségrégation interfaciale dans les solides
J. Phys. IV France 09 (1999) Pr4-241-Pr4-248
DOI: 10.1051/jp4:1999432
ICMCB-CNRS, Château Brivazac, avenue du Docteur A. Schweitzer, 33608 Pessac cedex, France
© EDP Sciences 1999
Ségrégation interfaciale dans les solides
J. Phys. IV France 09 (1999) Pr4-241-Pr4-248
DOI: 10.1051/jp4:1999432
Une nouvelle approche dans la compréhension de l'interaction SiC/Ti
S. Gorsse, Y. Le Petitcorps and Y. GarrabosICMCB-CNRS, Château Brivazac, avenue du Docteur A. Schweitzer, 33608 Pessac cedex, France
Résumé
La morphologie de la zone de réaction du système SiC/Ti a été analysée par microscopie électronique à balayage. La composition des différents constituants a été déterminée par spectroscopie d'électrons Auger et par microsonde électronique. Les analyses montrent que la zone de réaction est constituée des trois composés Ti5Si3Cx, TiCx et Ti3Si. Le diagramme de phases du système Ti - Si - C a été complété à 900°C. Le suivi de l'évolution morphologique de la zone de réaction interfaciale en fonction du temps de recuit de diffusion à 900°C, a permis de déterminer la loi de croissance des particules de TiCx et de préciser les mécanismes en jeu dans l'interaction SiC/Ti.
© EDP Sciences 1999