The quantum confined Pockels effect in GaAs-based multi-quantum wells

Numéro		J. Phys. IV France Volume 09, Numéro PR2, February 1999 6^èmes Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique III-V (JNMO'97)


Page		Pr2-37
DOI		https://doi.org/10.1051/jp4:1999205

6^èmes Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique III-V (JNMO'97)

J. Phys. IV France 09 (1999) Pr2-37
DOI: 10.1051/jp4:1999205

O. Krebs, P. Voisin, D. Rondi, J.L. Gentner, L. Goldstein and J.C. Harmand

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