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J. Phys. IV France
Volume 06, Numéro C4, Juillet 1996
Rayons X et Matiére100 ans déjà ... |
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Page(s) | C4-553 - C4-560 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp4:1996452 |
100 ans déjà ...
J. Phys. IV France 06 (1996) C4-553-C4-560
DOI: 10.1051/jp4:1996452
Diffusion centrale des rayons X sous incidence rasante. Etude de la morphologie d'agrégats
D. Thiaudière1, 2, 3 and A. Naudon41 Laboratoire de Métallurgie Physique, URA 131 du CNRS, Université de Poitiers, UFR Sciences, Bât. SP2MI, BP. 179, 86960 Futuroscope cedex, France
2 Laboratoire pour l'Utilisation du Rayonnement Synchrotron (LURE), CNRS-MEN-CEA, Université de Paris-Sud, 91405 Orsay cedex, France
3 European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), BP. 220, 38043 Grenoble cedex, France
4 Laboratoire de Métallurgie Physique, Université de Poitiers, URA 131 du CNRS, 40 avenue du Recteur Pineau, 86022 Poitiers cedex, France
Résumé
La diffusion centrale des rayons X en incidence rasante est une technique assez récente qui résulte en fait de la combinaison de deux techniques utilisant les rayons X: la réflectométrie et la diffusion centrale. Elle permet de caractériser, et donc d'obtenir des informations assez précises, sur la morphologie d'agrégats déposés ou recueillis sur des surfaces planes (verre ou monocristal de Si par exemple). Cette technique non destmctive permet des mesures précises quand elle est conduite auprès d'une source de rayonnement synchrotron. A l'aide d'Images Plates, il est alors possible d'étudier l'anisotropie des agrégats et d'en déduire leurs dimensions latérale et verticale. Nous donnerons d'abord des exemples pour des agrégats d'or déposées sur un substrat de silicium préalablement recouvert d'une sous-couche de 200 Å de carbone amorphe pour faire la comparaison avec la microscopie électronique, puis nous montrerons les potentialités de cette nouvelle technique pour d'autres dépôts.
Abstract
It is shown that grazing-incidence small-angle X-ray scattering (GISAXS) is a new experimental technique which combines both x-ray reflectometry and scattering at low angles. It allows characterization of the morphology of aggregates deposited or gathered on flat substrate as for example silicon wafer or Coming glass. Full potentialities of this technique are obtained when using a synchrotron source (flux and collimation) and when patterns are recorded with Image Plates (IPs). It is then possible to study the anisotropic shape of the scattering pattern and to determine the dimensions of the aggregates. Results will be shown on gold clusters deposited on a silicon wafer covered by a carbon sublayer in order to made the comparison with electron microscopy. Other examples will also be shown in order to highlight the advantages of such a technique.
© EDP Sciences 1996